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FESTO接近傳感器在傳感器之間有些什么區(qū)別之處
發(fā)布時(shí)間: 2013-12-06 點(diǎn)擊次數(shù): 1718次FESTO接近傳感器在傳感器之間有些什么區(qū)別之處
FESTO接近傳感器在換為電氣信號(hào)的檢測(cè)方式中,包括利用電磁感應(yīng)引起的檢測(cè)對(duì)象的金屬體中產(chǎn)生的渦電流的方式、捕測(cè)體的接近引起的電氣信號(hào)的容量變化的方式、利石和引導(dǎo)開(kāi)關(guān)的方式。 在JIS規(guī)格中,根據(jù)IEC60947-5-2的非接觸式位置檢測(cè)用開(kāi)關(guān),制定了JIS規(guī)格(JIS C 8201-5-2低壓開(kāi)關(guān)裝置及控制裝置、5控制電路機(jī)器及開(kāi)關(guān)元件、2節(jié)接近開(kāi)關(guān))。在JIS的定義中,在傳感器中也能以非接觸方式檢測(cè)到物體的接近和附近檢測(cè)對(duì)象有無(wú)的產(chǎn)品總稱(chēng)為“接近開(kāi)關(guān)”,由感應(yīng)型、靜電容量型、聲波型、光電型、磁力型等構(gòu)成。在本技術(shù)指南中,將檢測(cè)金屬存在的感應(yīng)型接近傳感器、檢測(cè)金屬及非金屬物體存在的靜電容量型接近傳感器、利用磁力產(chǎn)生的直流磁場(chǎng)的開(kāi)關(guān)定義為“接近傳感器”。
當(dāng)一塊通有電流的金屬或半導(dǎo)體薄片垂直地放在磁場(chǎng)中時(shí),薄片的兩端就會(huì)產(chǎn)生電位差,這種現(xiàn)象就稱(chēng)為霍爾效應(yīng)。兩端具有的電位差值稱(chēng)為霍爾電勢(shì)U,其表達(dá)式為U=K·I·B/d,其中K為霍爾系數(shù),I為薄片中通過(guò)的電流,B為外加磁場(chǎng)(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應(yīng)強(qiáng)度,d是薄片的厚度。
由此可見(jiàn),霍爾效應(yīng)的靈敏度高低與外加磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度成正比的關(guān)系;魻栐蛯儆谶@種有源磁電轉(zhuǎn)換器件,是一種磁敏元件。它是在霍爾效應(yīng)原理的基礎(chǔ)上,利用集成封裝和組裝工藝制作而成,它可方便的把磁輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換成實(shí)際應(yīng)用中的電信號(hào),同時(shí)又具備工業(yè)場(chǎng)合實(shí)際應(yīng)用易操作和可靠性的要求。霍爾開(kāi)關(guān)就是利用霍爾元件的這一特性制作的,它的輸入端是以磁感應(yīng)強(qiáng)度B來(lái)表征的,當(dāng)B值達(dá)到一定的程度(如B1)時(shí),霍爾開(kāi)關(guān)內(nèi)部的觸發(fā)器翻轉(zhuǎn),霍爾開(kāi)關(guān)的輸出電平狀態(tài)也隨之翻轉(zhuǎn)。輸出端一般采用晶體管輸出,和其他傳感器類(lèi)似有NPN、PNP、常開(kāi)型、常閉型、鎖存型(雙極性)、雙信號(hào)輸出之分;魻栭_(kāi)關(guān)具有無(wú)觸電、低功耗、長(zhǎng)使用壽命、響應(yīng)頻率高等特點(diǎn),內(nèi)部采用環(huán)氧樹(shù)脂封灌成一體化,所以能在各類(lèi)惡劣環(huán)境下可靠的工作。
當(dāng)磁性物件移近霍爾開(kāi)關(guān)時(shí),開(kāi)關(guān)檢測(cè)面上的霍爾元件因產(chǎn)生霍爾效應(yīng)而使開(kāi)關(guān)內(nèi)部電路狀態(tài)發(fā)生變化,由此識(shí)別附近有磁性物體存在,進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)的檢測(cè)對(duì)象必須是磁性物體。
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